2024年天津大學(xué)非全日制研究生招生考試《半導(dǎo)體物理與器件》考試大綱
一、考試的總體要求
本課程為本專業(yè)主干專業(yè)基礎(chǔ)課，要求考生掌握半導(dǎo)體物理的基本概念、二極管/雙極型晶體管/場效應(yīng)晶體管等器件的基本原理和應(yīng)用。
二、考試的內(nèi)容及比例
(一)考試內(nèi)容要點(diǎn)： 第一部分：(50%)
1、半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)能級(jí);
2、熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布，本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體和重?fù)诫s效應(yīng);
3、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性：載流子的漂移運(yùn)動(dòng)、遷移率、散射、強(qiáng)電場效應(yīng)、熱載流子的概念,
半導(dǎo)體電阻率與溫度、雜質(zhì)濃度的關(guān)系;
4、非平衡載流子：非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、壽命、擴(kuò)散長度、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)，愛因斯坦關(guān)系，一維穩(wěn)定擴(kuò)散，光激發(fā)載流子衰減;
5、p-n結(jié)：平衡與非平衡p-n結(jié)特點(diǎn)及其能帶圖，pn結(jié)理想和非理想I-V特性，p-n結(jié)電容概念與擊穿機(jī)制，p-n結(jié)隧道效應(yīng)、肖特基勢壘二極管;
6、金屬與半導(dǎo)體接觸特點(diǎn)及其能帶圖，金屬半導(dǎo)體接觸整流理論，歐姆接觸;
7、MOS結(jié)構(gòu)表面電場效應(yīng)，理想與實(shí)際MOS結(jié)構(gòu)C-V特性; 第二部分：(50%)
1、雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)，工作原理，少子分布，低頻電流增益和非理想效應(yīng);
2、雙極晶體管的等效電路模型，頻率特性和開關(guān)特性;
3、MOSFET的基本結(jié)構(gòu)，工作原理，關(guān)鍵參數(shù)，電流電壓關(guān)系，擊穿特性;
4、MOSFET的小信號(hào)模型和頻率特性;
5、MOSFET的非理想效應(yīng);
6、結(jié)型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和基本工作原理;
7、光器件與功率器件的原理、特點(diǎn)與應(yīng)用。
(二)比例：
兩部分考試內(nèi)容各占50%。
三、試卷題型及比例
1、填空與問答題：80%
2、計(jì)算與推導(dǎo)題：20%
四、考試形式及時(shí)間
考試形式均為筆試?？荚嚂r(shí)間為3小時(shí)(滿分150)。
五、參考書目
半導(dǎo)體物理學(xué)，(第七版)，劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社。半導(dǎo)體物理與器件，(第四版)，趙毅強(qiáng)、姚素英等譯，電子工業(yè)出版社。
晶體管原理與設(shè)計(jì)，陳星弼 張慶中等， 電子工業(yè)出版社。
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